CMOS蛍光寿命イメージセンサ

蛍光寿命（τ）は、蛍光光子が基底状態に戻る前に励起状態にとどまっている平均的時間と定義されます。 蛍光プローブの蛍光寿命は検出対象となるイオンの濃度に依存するため、蛍光寿命からイオン濃度の定量化ができます。 蛍光寿命測定は従来の蛍光強度測定に比べって定量化に優れています。
　我々は、時間分解（TR）型CMOSイメージセンサによるコンパクトで安価な新しいFLIM（蛍光寿命顕微鏡）を提案しています。 画素内に高速に電荷の転送と排出を行う構造を設けることにより、約２００[p sec]の時間分解能で、蛍光寿命をリアルタイムに計測できることを示しています。

文献

1. H. J. Yoon, S. Kawahito,"A CMOS Image Sensor for Fluorescence Lifetime Imaging", IEEE SENSORS, pp. 400-403, 2006
2. H. J. Yoon, S. Ito and S. Kawahito, "A CMOS Image Sensor with In-Pixel Two-Stage Transfer for Fluorescence Lifetime Imaging", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 56, No. 2, pp. 214-221, Feb. 2009.
3. Z. Li, K. Yasutomi, T. Takasawa, S. Itoh and S. Kawahito, "A CMOS image sensor with draining only modulation pixels for fluorescence lifetime imaging", in Proc. SPIE-IS&T Electronic Imaging, vol. 7875, San Fransisco, CA, Jan. 2011, pp. 78750D-1 -- 78750D-8.
4. S. Kawahito, Z. Li, and K. Yasutomi, "A CMOS image sensor with draining only modulation pixels for sub-nanosecond time-resolved imaging", in Proc. International Image Sensor Workshop, Hokkaido, Japan, Jun. 2011, pp. 185-188.
5. Z. Li, S. Kawahito, K. Yasutomi, K. Kagawa, J. Ukon, M. Hashimoto, H. Niioka, "A time-resolved CMOS image sensor with draining-only modulation pixels for fluorescence lifetime imaging", IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 59, no. 10, pp. 2715-2722, Oct. 2012.