適応増幅型イメージセンサ

CMOSイメージセンサのカラムに，信号の大きさに応じて適応的に増幅する回路を組み込んだ適応増幅型イメージセンサを開発しました．信号レベルが低い場合には高いゲイン（8倍）を，信号レベルが高い場合は低いゲイン（1倍）を画素ごとに切替えて増幅します．本手法によるノイズ低減と埋め込みフォトダイオードとの組み合わせにより，入力換算で263μVrmsまでノイズを抑制することに成功しました．2003年ISSCCにて発表しました．

試作イメージセンサチップ	ゲイン補正無し（上）／ゲイン補正あり（下）

文献

1. S. Kawahito, M.Sakakibara, D.Handoko, N. Nakamura, H. Satoh, M. Higashi, K. Mabuchi, H. Sumi, "A Column-Based Pixel-Gain-Adaptive CMOS Image Sensor for Low-Light-Level Imaging," Dig. Tech. Papers, IEEE Int. Solid-State Circuits Conf., 12.7, pp. 224-225, Feb. 2003.